Electron Zeitschriften-Cover-Design-Service (OTS)

Electron

15 June 2024

Sb-Se-basiertes elektrisches Schaltgerät mit schneller Übergangsgeschwindigkeit und minimierter Leistungsverschlechterung aufgrund stabiler Mid-Gap-Zustände

Xianliang Mai^1,†, Qundao Xu^1,†, Zhe Yang^1,†, Huan Wang¹, Yongpeng Liu¹, Yinghua Shen¹, Hengyi Hu¹, Meng Xu², Zhongrui Wang², Hao Tong^1,3, Chengliang Wang^1,*, Xiangshui Miao^1,3, Ming Xu^1,3,*

10.1002/elt2.46

Das chalkogenidbasierte Ovonic Threshold Switching (OTS)-Bauelement, bekannt für seine schnellen und zuverlässigen Eigenschaften, erweist sich als unverzichtbare Komponente in Speicherchips und neuromorphen Computerarchitekturen. Allerdings neigt das Funktionsmaterial zur Glasrelaxation, was zu Leistungseinbußen und Schwankungen der Schwellenschaltspannung über mehrere Schaltzyklen hinweg führt. In diesem Titelbild (DOI: 10.1002/elt2.46) schlugen die Autoren ein einfaches binäres OTS-Bauelement zur Lösung dieses Problems vor. Eine umfassende Untersuchung mittels First-Principles-Berechnungen hat die grundlegenden Mechanismen enthüllt, die der robusten Leistung des Materials zugrunde liegen.