Nanoscale
21 May 2020
Ultrafast plasmonisches Lasern an einer Metall/Halbleiter-Grenzfläche
Jian Wang,‡ab Xiaohao Jia,‡cd Zhaotong Wang,e Weilong Liu,f Xiaojun Zhu,f Zhitao Huang,cd Haichao Yu,g Qingxin Yang,f Ye Sun,e Zhijie Wang,*cd Shengchun Qu,cd Jie Lin,*ab Peng Jin*ab and Zhanguo Wangcd
a Zentrum für Ultrapräzisions-Optoelektronik-Ingenieurwesen, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China
b Schlüssellabor für Mikrosystem- und Mikrostrukturfertigung (Harbin Institute of Technology), Bildungsministerium, Harbin 150080, China
c Schlüssellabor für Halbleitermaterialwissenschaften und Pekinger Schlüssellabor für niedrigdimensionale Halbleitermaterialien und -bauelemente, Institut für Halbleiter, Chinesische Akademie der Wissenschaften, Peking 100083, China
d Zentrum für Materialwissenschaften und Optoelektroniktechnik, Universität der Chinesischen Akademie der Wissenschaften, Peking 100049, China
e Fakultät für Instrumentierungswissenschaft und -technik, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China
f Fachbereich Physik, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China
g Suzhou Institut für Nanotechnologie und Nanobionik, Chinesische Akademie der Wissenschaften, Suzhou 215125, China
‡ Diese beiden Autor:innen haben gleichermaßen zu dieser Arbeit beigetragen.
10.1039/D0NR02330B
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