Nanoscale Titelseitengestaltung für Fachzeitschriften (NMOS)

Nanoscale

31 Aug 2016

Implementierung von Nicht-assoziativem Lernen durch eine einzelne, memristorbasierte Synapsenvorrichtung mit mehreren Anschlüssen

Xue Yang,^a Yichen Fang,^a Zhizhen Yu,^a Zongwei Wang,^a Teng Zhang,^a Minhui Yin,^a Min Lin,^a Yuchao Yang,^ab Yimao Cai^*ab and Ru Huang^ab

10.1039/C6NR04142F

Hier wird eine dreipolige Vorrichtung vorgeschlagen, die aus einem oxidbasierten Memristor und einem NMOS-Transistor besteht. Der Memristor mit gradueller Leitwertanpassung übernimmt intrinsisch die Funktion der Synapse zwischen Sensor- und Motorneuronen und zeigt eine einstellbare synaptische Plastizität. Der mit dem Memristor verbundene NMOS-Transistor dient dazu, den modulierenden Effekt des von Internetronen freigesetzten Neuromodulators nachzubilden. Eine solche memristorbasierte Mehrpolvorrichtung ermöglicht die praktische Umsetzung von bedeutendem nicht-assoziativem Lernen auf Basis eines einzelnen elektronischen Bauelements. In dieser Studie wurde das erfahrungsinduzierte Modifikationsverhalten – sowohl Habituation als auch Sensitivierung – erfolgreich realisiert. Ebenso wurde die Abhängigkeit der nicht-assoziativen Verhaltensreaktion von der Stärke und dem Intervall der präsentierten Reize diskutiert.